國內首顆8英寸區熔單晶硅研制成功

    日前，中環股份發布了晶硅材料三類新產品，國內首顆8英寸區熔硅單晶、直拉區熔高效太陽能電池用單晶硅和8英寸〈110〉晶向直拉單晶硅。據悉，這三項技術的成功突破，打破了國外對8英寸區熔單晶硅生長技術的封鎖。將進一步提升中國企業在這兩個領域的競爭力，加速產業升級。

    據悉，區熔單晶硅已成為IGBT的主體功能性材料。IGBT是新一代的功率半導體器件，其技術應用的核心是通過電源頻率調制實現整機、裝置的控制和節能，其產品應用已覆蓋高速機車、新能源汽車、工業節能、新能源、節能家電等領域。2010年中國IGBT市場規模約70億元，未來預計將以25%以上的速度增長。目前全球有近20家區熔單晶硅制造商，其中前5位公司壟斷了全球產量95%以上。中環股份占據第三位，這次宣布拉制出的8英寸區熔單晶硅是國內首例。

    中環股份以半導體單晶硅材料、單晶硅光伏產品和半導體器件為主營業務。是國內歷史最悠久、綜合技術實力最雄厚、產品種類最豐富的單晶硅材料制造企業。盡管今年全球光伏產業面臨產能過剩及行業洗牌，但中環股份仍宣布將憑借最新技術新一代直拉區熔法進軍高效太陽能電池單晶硅領域。推動行業產業升級發展。