我們注意到目前全球風力和太陽能光伏發(fā)電的發(fā)展速度相當快，中國也在快步跟上。在中國風電市場，從600KW到1.5MW、2.0MW風機只花了短短的數(shù)年時間，目前2.5MW、3.6MW和5MW風機也正在開發(fā)中。太陽能光伏發(fā)電的應用在中國還處于起步階段，主要以太陽能電廠為主，采用集中式逆變器并網(wǎng)發(fā)電。2012年，隨著政策鼓勵以及人們節(jié)能環(huán)保意識提高的推動，相信這兩個市場將繼續(xù)保持飛速發(fā)展。

    在未來，從風電來看，提高單機功率是個趨勢，尤其離岸和潮汐帶的風力資源決定需要大功率風機，以提高資源利用率。這就需要更大電流、更高電壓的功率半導體器件，主要是高壓大電流的IGBT模塊和功率組件Stack。

    由于風電是一種極其不穩(wěn)定的能源，作為風能的變換和控制關鍵器件，IGBT模塊會承受功率和溫度的頻繁變化，這會使得IGBT壽命縮短。在IEC60747定義了相關壽命參數(shù)，即功率周次和溫度周次，這是IGBT模塊的重要可靠性指標。

    對于太陽能光伏發(fā)電，功率器件的效率更重要，它們也在不斷發(fā)展中，如構(gòu)槽柵場終止技術FieldStopIGBT、HighSpeed3IGBT、CoolMOS、碳化硅二極管SiC在高能效的太陽能逆變器有出色的表現(xiàn)。

    對于風電和太陽能，控制器、變流器的壽命，以及平均無故障時間很重要，這是由器件和系統(tǒng)設計決定的，一般的平均設計壽命要求在20年以上。風電和太陽能系統(tǒng)對環(huán)境適應性要求高，如極端氣溫條件、沿海地帶、高海拔地區(qū)等。當然轉(zhuǎn)換效率也是十分重要的，直接關系到電廠的盈利。

    電動汽車、太陽能、風能等新能源行業(yè)要求系統(tǒng)的設計經(jīng)濟、高效、可靠。作為全球功率半導體的領軍企業(yè)，英飛凌的CoolMOS、OptiMOS、IGBT和碳化硅等功率器件，多年來因其穩(wěn)定、突出的能效而備受電力電子行業(yè)推崇，將迎合上述系統(tǒng)要求而大顯身手。

    面對蓬勃發(fā)展的中國新能源市場，英飛凌將投入更多的資源為中國新能源市場服務：推出更優(yōu)秀的產(chǎn)品，例如CoolMOSC7系列和IGBTHighSpeed3系列等;組建更專業(yè)高效的本地化服務團隊;并開展與國內(nèi)一流高校和企業(yè)的項目合作及技術交流等。

    為了應對中國電動汽車、太陽能、風能等新能源行業(yè)的迅猛發(fā)展，英飛凌做好了充分的準備，并在以下三個技術領域持續(xù)開展創(chuàng)新性的研究：

    一是器件技術的創(chuàng)新。英飛凌HighSpeed3IGBT引領人們對分立IGBT有了新認識，這種技術及其后續(xù)研究將對降低IGBT的導通和關斷損耗持續(xù)進行突破創(chuàng)新，從而使新能源的系統(tǒng)設計更經(jīng)濟、高效。同時，我們正持續(xù)改進硅技術，為業(yè)界提供新一代CoolMOS和OptiMOS。此外，寬帶隙技術也是我們的研發(fā)重點，其中的碳化硅材料，已在英飛凌的碳化硅二極管產(chǎn)品上展示出令人鼓舞的效果，即將推出的碳化硅JFET也將進一步開創(chuàng)功率半導體的新紀元。

    二是硅片制造工藝技術的創(chuàng)新。英飛凌的IGBT在70微米的晶圓上制造而成，其厚度僅相當于人類的頭發(fā)絲，這種工藝技術有效改善了IGBT的導通壓降和器件的熱特性。英飛凌正在把300毫米直徑的晶圓技術應用于分立功率器件，這將顯著提升我們的產(chǎn)能以支持目前業(yè)界的巨大需求，同時進一步提高我們產(chǎn)品的性價比。

    三是封裝技術的創(chuàng)新。先進的封裝技術可以進一步支持我們的器件運用于實際應用。英飛凌把CoolMOS裝進超薄的“ThinPAK8×8”封裝里，這使得我們最新的芯片技術可以在實際應用中更為有效地發(fā)揮優(yōu)勢。

    除了技術的創(chuàng)新，英飛凌還針對目標應用提供全面的解決方案。比如，基于對汽車電子的深厚積累，我們針對新能源電動汽車開發(fā)了3.6kW車載充電器，效率高達95%，體積只有3.6升，重量不足3.5kg，是目前業(yè)界最高效、最高功率密度的解決方案。

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